応用物理
Online ISSN : 2188-2290
Print ISSN : 0369-8009
基礎講座
GaNのエピタキシャル成長の実現まで
平松 和政
著者情報
ジャーナル 認証あり

2013 年 82 巻 5 号 p. 422-425

詳細
抄録

GaN系窒化物半導体の数々のエピタキシャル成長技術により,青色LED(発光ダイオード)ならびに青紫色LD(レーザダイオード)が実現された.そこに至るGaNのエピタキシャル成長の歴史と,重要な高品質化成長技術(低温バッファ層技術,ELO技術,厚膜技術,歪(ひずみ)制御技術)について紹介する.

著者関連情報
© 2013 公益社団法人応用物理学会
前の記事 次の記事
feedback
Top