GaNのエピタキシャル成長の実現まで

抄録

GaN系窒化物半導体の数々のエピタキシャル成長技術により，青色LED（発光ダイオード）ならびに青紫色LD（レーザダイオード）が実現された．そこに至るGaNのエピタキシャル成長の歴史と，重要な高品質化成長技術（低温バッファ層技術，ELO技術，厚膜技術，歪(ひずみ)制御技術）について紹介する．

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