応用物理
Online ISSN : 2188-2290
Print ISSN : 0369-8009
基礎講座
酸化物薄膜トランジスタ
神谷 利夫
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ジャーナル 認証あり

2013 年 82 巻 8 号 p. 698-702

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抄録

新しい半導体である酸化物半導体の特徴について,シリコンと比較しながら解説する.まず,薄膜トランジスタ(TFT)の動作原理を説明し,シリコンと酸化物TFTの移動度や欠陥密度の違いを明らかにする.特にアモルファス酸化物TFTの移動度が高いこと,欠陥密度が低いこと,オフ電流が低いことを,強いイオン結合性とそれに伴う電子構造に関連付けて説明する.

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© 2013 年 応用物理学会
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