解説
溶液成長法による無転位4H-SiCバルク結晶成長の試み
2014 年 83 巻 12 号 p. 993-997
詳細
2014 年 83 巻 12 号 p. 993-997
溶液成長によるSiCウェーハの開発状況について解説する．前半はマクロな欠陥の少ない良好なバルク結晶の高速成長について述べる．特に，溶液にCrを添加することによる成長速度の向上や成長面方位，メニスカス形成，結晶形状の制御によるマクロ欠陥の抑制について言及する．後半は，筆者らのグループの結果を中心に転位密度の低減の試みについて解説する．
