研究紹介
イオンビームアシストMBE法による立方晶BN(c-BN)薄膜のヘテロエピタキシャル成長
2016 年 85 巻 4 号 p. 306-310
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2016 年 85 巻 4 号 p. 306-310
立方晶窒化ホウ素（c-BN）は6.25eVのバンドギャップエネルギーを有する半導体であり，耐環境デバイスなどへの応用が期待されている．しかし，c-BN薄膜のエピタキシャル成長は難しく，これまでほとんど報告されていなかった．近年，我々はイオンビームアシストMBE法により，c-BN(001)および(111)薄膜をダイヤモンド基板上にヘテロエピタキシャル成長できることを示した．本稿では，その成長手法の特徴とBN薄膜成長時のイオン照射の効果について紹介し，c-BN研究の今後の展望について述べる．
