2016 年 85 巻 5 号 p. 364-376
近年,イオン伝導体とのヘテロ界面付近において,局所的なイオン移動によって生じる物理的あるいは化学的作用に起因した興味深いナノイオニクス現象が見いだされ,それにより得られる新しい機能を利用したナノイオニクスデバイスが提案されている.例えば,原子スイッチ,脳型デバイス,全固体型電気2重層トランジスタ,オンデマンド型多機能デバイス,転移温度の制御が可能な超伝導デバイスなど,従来の半導体デバイスでは得られなかったユニークな機能を有するデバイスが挙げられる.本稿では,次世代の情報通信デバイスの開発研究において,従来のエレクトロニクス分野だけでなく,固体イオニクス分野においても興味深い成果が得られていることを紹介する.