研究紹介
MTJ/MOSハイブリッド回路技術
2017 年 86 巻 8 号 p. 662-665
詳細
2017 年 86 巻 8 号 p. 662-665
不揮発性記憶機能を有する磁気トンネル接合（MTJ）をCMOS集積回路に内蔵させた新しい集積回路アーキテクチャ「MTJ/MOSハイブリッド回路技術」を示し，超微細加工技術の進展に伴い従来型CMOS集積回路で一層深刻となっている電力消費増大の問題が，この集積回路アーキテクチャにより解決できる原理とその回路構成の具体例を紹介する．
