国立研究開発法人産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター ダイヤモンドデバイス研究チーム
2018 年 87 巻 10 号 p. 739-744
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ダイヤモンドデバイス動作時の欠陥の影響,基板・エピタキシャル成長膜品質評価のために,「どこに」「どのくらい」「どういう種類」の欠陥があるかを評価する要請が増えている.本稿では,どういった手法で,どういう欠陥を見ることができるようになっているか,どのくらいの欠陥があるのかについて紹介する.
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