2018 年 87 巻 4 号 p. 262-266
半導体集積回路の低消費電力化を実現するためのMOSFET代替素子として,トンネルFET (TFET) が注目されている.実用化に向けての課題はオン電流の確保にある.高いトンネル確率を実現できる新材料チャネルを用いる方法を中心に研究が進んでいるが,近年,Siチャネルにおいてトンネル確率を増大させるために等電子トラップ技術の利用が提案された.本稿では,TFETの研究動向を概観し,Siチャネルでの実用性能を実現する可能性を開いた等電子トラップ技術について最近の研究成果を紹介する.