応用物理
Online ISSN : 2188-2290
Print ISSN : 0369-8009
研究紹介
大容量SiCパワーデバイスに向けた結晶成長技術の開発
土田 秀一鎌田 功穂星乃 紀博村田 晃一
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2021 年 90 巻 11 号 p. 675-678

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抄録

太陽光発電や蓄電,風力発電,電動車など,低炭素社会を支えるさまざまな技術において,電圧や周波数を変換するためのパワーデバイスが活躍している.炭化ケイ素(SiC)単結晶は,高い絶縁破壊強度などの優れた材料特性を有しており,SiCを材料としたパワーデバイスは特に高電圧用途で高い省エネ性能を発揮する.SiCパワーデバイスはさまざまな応用用途で実用化が始まっているが,さらなる適用・普及拡大に向けて,SiCウェーハの品質改善や低コスト化,大口径化が望まれている.本稿では,SiCパワーデバイスの大容量化や適用拡大に向けたSiC結晶成長に関する研究を紹介する.

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© 2021 公益社団法人応用物理学会
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