抄録
半導体デバイスにおいてMOS構造は重要な役割を担っています．本稿では，MOS構造の界面準位密度を評価する代表的手法であるTerman法とコンダクタンス法について説明します．エネルギーバンド図や式の利用は極力控えて，これらの方法の原理を定性的に説明します．また，実際の評価における注意点についても説明します．
© 2022 公益社団法人応用物理学会
2022 年 91 巻 5 号 p. 296-300
半導体デバイスにおいてMOS構造は重要な役割を担っています．本稿では，MOS構造の界面準位密度を評価する代表的手法であるTerman法とコンダクタンス法について説明します．エネルギーバンド図や式の利用は極力控えて，これらの方法の原理を定性的に説明します．また，実際の評価における注意点についても説明します．