応用物理
Online ISSN : 2188-2290
Print ISSN : 0369-8009
基礎講座
金属‐酸化膜‐半導体構造の界面準位密度評価
田岡 紀之
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ジャーナル 認証あり

2022 年 91 巻 5 号 p. 296-300

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抄録

半導体デバイスにおいてMOS構造は重要な役割を担っています.本稿では,MOS構造の界面準位密度を評価する代表的手法であるTerman法とコンダクタンス法について説明します.エネルギーバンド図や式の利用は極力控えて,これらの方法の原理を定性的に説明します.また,実際の評価における注意点についても説明します.

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© 2022 公益社団法人応用物理学会
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