抄録
現代社会を支える電子機器に欠かせない半導体デバイスであるMOSFETのチャネル領域における電荷の流れやすさを表す物理量である「チャネル移動度」の評価手法を解説します．そして，精緻なデバイス物理が確立しているSiの知見に基づいて，新材料であるSiCを用いた素子のチャネル移動度を評価し，反転層における電子の散乱機構を解析した事例を紹介します．
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現代社会を支える電子機器に欠かせない半導体デバイスであるMOSFETのチャネル領域における電荷の流れやすさを表す物理量である「チャネル移動度」の評価手法を解説します．そして，精緻なデバイス物理が確立しているSiの知見に基づいて，新材料であるSiCを用いた素子のチャネル移動度を評価し，反転層における電子の散乱機構を解析した事例を紹介します．