応用物理
Online ISSN : 2188-2290
Print ISSN : 0369-8009
基礎講座
MOSFETチャネル移動度評価
野口 宗隆
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ジャーナル 認証あり

2022 年 91 巻 6 号 p. 362-366

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抄録

現代社会を支える電子機器に欠かせない半導体デバイスであるMOSFETのチャネル領域における電荷の流れやすさを表す物理量である「チャネル移動度」の評価手法を解説します.そして,精緻なデバイス物理が確立しているSiの知見に基づいて,新材料であるSiCを用いた素子のチャネル移動度を評価し,反転層における電子の散乱機構を解析した事例を紹介します.

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© 2022 公益社団法人応用物理学会
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