研究紹介
テラヘルツ波検出用光伝導アンテナ開発に向けた GaAsBi 成長
2023 年 92 巻 10 号 p. 617-621
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2023 年 92 巻 10 号 p. 617-621
ビスマス（Bi）系III-V族半導体半金属混晶（以降，Bi系III-V族半導体）は，元来低温成長が必要である．本研究では，その成長条件とBi系III-V族半導体が有する物性の両方を活用し，光通信帯光源が利用可能なテラヘルツ波検出用光伝導アンテナへの応用を目的としている．そのための分子線エピタキシ法を用いたGaAs1-xBixの低温成長に関する研究成果を紹介する．
