チャージポンピング法によるMOS界面欠陥評価のための＋α の研究技術

抄録

チャージポンピング法はMOSFETを用いて酸化膜／半導体界面欠陥を評価する手法である．ゲートに繰り返しパルスを入力した際に流れる基板電流から界面準位密度を計算するが，Si以外の半導体では多量の界面準位密度や酸化膜欠陥の影響により，Siとは異なるチャージポンピング特性となることが多い．本稿では，チャージポンピング測定におけるパルス条件や素子構造の影響および3値パルスを用いた特性について，SiC MOSFETの測定例を中心に評価のポイントを紹介する．