応用物理
Online ISSN : 2188-2290
Print ISSN : 0369-8009
基礎講座
先端メモリ技術
―DRAM,NAND memory,MRAM―
遠藤 哲郎
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2025 年 94 巻 10 号 p. 554-559

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抄録

本稿では,GPUなどのAIプロセッサの性能を引き出すにはHBMなどのメモリ技術の進展が不可欠であることなど半導体メモリの重要性を議論し,ワーキングメモリからストレージメモリに至るメモリ階層の必要性を示す.次にワーキングメモリとストレージメモリの代表技術であるDRAMとNANDメモリの基礎から最新技術動向を述べる.最後に,近年不揮発ワーキングメモリという新メモリ分野を構築しているスピントロニクスを活用したMRAMを概説する.本稿を通じて,半導体メモリの未来を感じていただければ幸いである.

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© 2025 公益社団法人応用物理学会
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