絶縁膜上へのシリコン単結晶膜の製作法とその応用

抄録

絶縁膜上へSiの単結晶膜を成長させる技術(SOI……Si on Insulator……技術)は,三次元積層構造の集積回路や薪しい分離構遣を形成できるため注目されている.本稿では,特にレーザー照射法を用いた最近のSOI技術を整理・分類し,単結晶摸の形成機構・性質,問題点などの相互比較を行なう.また,このSOI技衛によるヂバイス応庵の理撰を整理し,今綾の展望を議論する.