半導体中の欠陥の動的物性

抄録

半導体中の欠陥において電子と格子の強い相互作用によって生じる現象,とくに,深い準位をもつ欠陥に電子と正孔が相い続いで捕獲され,フォノンを放出することによって再結舎する過程について解説する.配位座標モヂルをもとに,電子的エネルギーが原子のエネルギーに転換される格子緩和のしくみ,キァリア濃度と再結合確率の関係, Killer 中心の特徴等について説明する.また半導体素子の劣化現象で問題となっている欠陥の移動,増殖などの欠陥反応の機構について考察する.