超高速集積回路の性能限界
1982 年 51 巻 7 号 p. 796-801
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1982 年 51 巻 7 号 p. 796-801
半導体集積圏路の速度性能の到達限界について考察している.基本論理ゲートの速度では, Siバイ求一ラとMOS集積回路はほぼ岡程度で,数Psまで案現できるだろう.しかし負荷特性に差があり,大きな回路ではバイポーラでこれより2～3倍, MOSで5～10倍遅くなる.バイポーラは高消費電力のために集積度が剃約される. GaAs集積回路はこれらよりさらに高速化が可能である.またGaAsを含む化合物楽導体では,材料.製作技術の選歩により今後新しい発展も期待できる.
