応用物理
Online ISSN : 2188-2290
Print ISSN : 0369-8009
磁場中単結晶成長
福田 承生, 寺嶋 一高
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1984 年 53 巻 1 号 p. 42-47

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抄録
超伝導磁石を用いた新しい磁場印加引き上げ装置の開発により,磁場印加LEC法で初めて5cm直径のGaAs単結晶作成に成功した.GaAsでは100kA/m以上の磁場印加により対流が抑止され,温度変動幅は0.1°C以下になった.成長縞や,るつぼからの不純物溶け込み低減化以外に,GaAs特有の固有欠陥の制御および引き上げ速度の高速化ができることが見いだされた.この制御により抵抗値が変えられ,引き上げ速度の高速化,超低Crの添加などにより,新しい型の半絶縁性GaAs結晶の開発が可能になった.
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© 社団法人 応用物理学会
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