磁場中単結晶成長—シリコン—

抄録

Si単結晶をチョクラルスキー法(CZ法)で成長する際に磁場を加え,Si融液に起こる熱対流を抑制し,結晶の高品質化を図った.磁場で熱対流が抑制されるには,融液の導電率が十分大きくなければならない.したがって,すべての材料にこの技術が当てはまるわけではない.Si融液は,幸いなことに,水銀並みの高い導電率を有するため,磁場が有効に生かされる.この研究ノートは,実験データの紹介ではなく,開発までの経緯と現状に話の中心を置いてまとめたものである.