ドライエッチング

抄録

ドライエッチング技術はSiおよび化合物半導体デバイス製作の基本加工技術である.ラジカル種と材料との化学反応によるプラズマエッチングは等方性エッチングとなる.一方,反応性イオン種と材料との物理・化学反応によるRIEは異方性エッチングを可能とすると共に各種材料間のエッチングの選択性の点で微細なパターンの加工に適する.エッチング反応の機構,反応特性,加工性等につき概要をのべた.