紫外線励起シリコンドライエッチング
1984 年 53 巻 11 号 p. 979-984
詳細
1984 年 53 巻 11 号 p. 979-984
エキシマレーザーなどの紫外光を多結晶Siに塩素中で照射すると,n型は等方的に,アンドープ,P型は異方的にエッチングされる.その速度はこの順番で遅くなり,これは伝導帯の電子濃度に比例する.この結果から,塩素への電子付着による負イオンがSiへ引き込まれ,反応すると考えた.応用として,アンドープ多結晶SiはICパターンの転写で感光材を用いず(レジストレス)にエッチングされた.n型の場合,エッチング中に堆積ガスを導入し,側壁に堆積させ,照射面のみエッチングを進行させ異方性形状を達成した,本方法は下地酸化膜への大きな選択性,無照射損傷の点で,将来のVLSI製作に有望な技術となる.
