応用物理
Online ISSN : 2188-2290
Print ISSN : 0369-8009
シリコン分子線エピタキシーにおける基板表面の清浄化
田部 道晴
著者情報
ジャーナル フリー

1984 年 53 巻 11 号 p. 975-978

詳細
PDFをダウンロード (345K)
メタデータをダウンロード RIS形式

(EndNote、Reference Manager、ProCite、RefWorksとの互換性あり)

BIB TEX形式

(BibDesk、LaTeXとの互換性あり)

テキスト
メタデータのダウンロード方法
発行機関連絡先
抄録
シリコン分子線エピタキシャル技術は,二,三の問題を抱えながらも着実に実用化への足場を固めつつある.残された問題点のなかで,基板表面の清浄化技術の確立は,今後のLSI応用への可否を決する重要な課題である.これまで広く用いられてきた高温アニール法に代わって,LSIプロセスに適用可能な,より低温で清浄表面を得る方法として紫外線・オゾン清浄化法を検討した.その結果, 1000°C以下の熱処理で清浄表面が形成され,欠陥密度の低いエピタキシャル膜が得られることがわかった.
著者関連情報
© 社団法人 応用物理学会
前の記事 次の記事
お気に入り & アラート

閲覧履歴
発行機関からのお知らせ
  • 会員の方へ：PDFファイル閲覧用の購読者番号とパスワードは会員マイページでご確認いただけます。
このページを共有する
feedback
 Top