高速半導体光検出器と材料
1984 年 53 巻 4 号 p. 341-344
詳細
1984 年 53 巻 4 号 p. 341-344
ヘテロエピタキシャル技術とMBEを代表とする超薄膜形成技術の目覚しい進展が,新しいデバイス特性を引き出すうえで大きな役割を果たしている.光検出器も例外でなく二次元電子ガスを利用する高速フォトダィオード,超格子型アバランシ・フォトダイオードなど,従来のバルク材料では実現不可能な特性をもつ素子が生れつつある.本稿では特に光検出器の応答速度の問題に的を絞り,材料とデバイス固有の問題点,および新技術によるブレークスルーについて述べる.
