応用物理
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混晶エレクトロニクス
基礎の問題点と応用の可能性
佐々木 昭夫
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1984 年 53 巻 7 号 p. 579-589

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抄録

二種以上の半導体の原子的混合と考えられる混晶半導体は,半導体材料に“設計し得る”という概念を初めて持ち込める特長をもつ.半導体の特性は構造敏感であるにもかかわらず,混晶半導体では元素配列規則性が未知である.ここでは,次世代の新しい黒レクトロニクスで重要なIII-V族混晶に焦点を当てて解説する.残されている基本問題を規則性,結晶成長,物性,異種接合などに分けて説明する.億方,混晶による新物性,新デバイスを紹介し,Si, GaAsなどでは得られない混晶応用の新分野について述べる.

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© 社団法人 応用物理学会
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