III-V化合物半導体四元混晶の混合安定性の解析
1984 年 53 巻 9 号 p. 802-808
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1984 年 53 巻 9 号 p. 802-808
半導体レーザーの材料などとして最近応用が拡大しつっあるIII-V化合物半導体四元混晶は,混合不安定性のために必ずしも結晶成長可能とは限らない.ある混晶系がどのような温度および組成域において不安定性を生じるかを熱力学的に解析し,15種類のIII-V四元混晶における不安定姓の振舞いが明らかにされた.これにより徒来の実験データの多くを説明できるとともに,まだ試みられていない新しい混晶材料が果たして成長可能であるかどうかについて有力な見通しを得ることができる.
