化合物半導体のランプアニール

応用物理

Online ISSN : 2188-2290
Print ISSN : 0369-8009

化合物半導体のランプアニール

神津英明, 葛原正明, 高山洋一郎

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ジャーナルフリー

1984 年 53 巻 9 号 p. 794-801

DOI https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.53.794

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抄録

イオン注入後アニールの一方法として,ランプアニールが注目されている,この技術を用いたn, n⁺型およびp⁺型GaAsの形成方法を中心に,他の化合物半導体への適用,デバイスへの応用,他のプロセス技術への発展などについて述べる.

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