GaAs FETしきい値電圧の転位依存性
1987 年 56 巻 1 号 p. 19-25
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1987 年 56 巻 1 号 p. 19-25
半絶縁性LEC結晶の転位が, Siイオン注入で形成したFETのしまい値電圧を移動させる.特にリニィジや転位綱の境界では転位近接効果が見られ,約50μm以内でしきい値はノーマリーオン側にずれる.この現象について,転位にまつわる諸現象 (As過剰析出物の存在, EL 2濃度の増大,など)を考慮した欠陥挙動のモデルで説明する.基本的には,転位周辺で格子問As. Asi, 濃度が高くなっており,注入Siの両性に基づく活性化機構 (SiGaドナーとSiAsアクセプターの相対濃度)によることで理解できる.
