光技術共同研究所 電子技術総合研究所
愛宕物産株式会社
1987 年 56 巻 9 号 p. 1183-1189
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GaAs結晶申の深い準位の光学遷移を解明することを目的として,赤外領域のフォトルミネッセンス励起スペクトル測定装置を開発した.この測定を実施するには,光学系の信号対雑音比を,従来のフォトルミネッセンス測定装置に比べ,約2桁程度改善する必要があった.本稿では,装置開発に際しての工夫,問題点とその解決法などについて紹介する.そして,代表的な深もい準位であるEる2準位の光学遷移を解明するカギとなった実験結果について述べる.
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