応用物理
Online ISSN : 2188-2290
Print ISSN : 0369-8009
キャパシタンス法による測定とその解釈
八幡 彰博
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1988 年 57 巻 1 号 p. 78-83

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抄録
GaAs結晶中に,もともと存在する深い準位が,金属電極によって影響を受けることがあるという仮説のもとに,アルミニウムと金をショットキー障壁ダイオードの電極として用いたDLTS測定と,それぞれの電極中のAgとGaのSIMS分析を行った.その結果は上記仮説と整合し, GaAsのEL 2の信号強度と,金属へのAsの拡散量との間に,正の相関関係が観察された.
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© 社団法人 応用物理学会
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