電子技術総合研究所
1988 年 57 巻 1 号 p. 84-91
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金属/n-GaAsのショットキー接合での, CTS法による実験結果をもとに, EL2に関する過渡容量スペクトルの多様性に関する私見を述べる.スペクトルの多様性は,実験に用いる試料での,金属/GaAsの界面反応によって発生変化する,構造欠陥による深い準位の振る舞いを反映してと考えており,これを支持する直接的な実験結果も,最近報告され始めている.
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