大阪大学産業科学研究所
沖電気工業(株)基盤技術研究所
1988 年 57 巻 2 号 p. 204-208
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GaAs/AIGaAs 分子線エピタキシャル成長において,基板面方位を変えると様々な興味ある知見が得られる.成長表面状態,電気的性質およびフォトルミネッセンスなどの基板面方位による変化を通して,エピタキシャル成長機溝,不純物の取り込み方,欠陥の生成の違いについて紹介する.
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