超格子アバランシエフォトダイオード
1991 年 60 巻 1 号 p. 14-20
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1991 年 60 巻 1 号 p. 14-20
キャリア増倍層に超格子を用いたAPDの原理と最近の研究状況を解説する, APDの特性に重要な影響を与えるイオン化率を決めるメカニズムと,これが超格子構造によって制御される仕組みについて述べる.大きな伝導帯の不連続をもつInGaAs/InAlAs超格子の電子のイオン化率が著しく増大することを実験的に示した後に,これを用いたAPDの素子構造と雑音,応答速度などの特性を紹介する.最後に,さらに高性能化するために,井戸層にInGaAsPを用いた素子を紹介する.
