抄録
並列光情報処理や光インターコネクションなどの新しい光エレクトロニクスの分野への応用を目指した新しい半導体レーザーとして面発光レーザーが注目されている.この半導体レーザーは,半導体基板と垂直方向に光を出射し,二次元並列集積化が可能であることを特徴としている.本報告では,まず面発光半導体レーザーの研究経緯について述べ,垂直共振器型,水平共振器型,曲がり共振器型などのいろいろな面発光レーザーの構造と特徴について説明する.さらに,著者らが研究を進めてきた垂直共振器型面発光レーザーを中心に,低しきい値化のための埋め込み構造形成や高反射率化の手法について述べ,そのレーザー発振特性や二次元アレイ化技術について紹介する.最後に,最近の面発光レーザー研究の進展と将来展望について論ずる.
