(株)富士電機総合研究所先端デバイス研究所
1991 年 60 巻 2 号 p. 149-152
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CulnSe2は長波長光感度にすぐれた直接遷移型半導体材料であり,高効率薄膜太陽電池への応用が期待されている.多元系材料であるため,組成制御性の良い,かつ,高い結晶性が得られる膜形成技術の研究が進められている.ここでは,三元同時蒸着法およびセレン化法を取り上げ,膜構造あるあるいは膜形成過程に関して得られた最近の研究結果について報告する.
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