NTT LSI研究所
1992 年 61 巻 11 号 p. 1156-1160
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将来のULSI微細配線には低抵抗でマイグレーション耐性の高い金属材料が必要である.Cu配線の特徴を損なうことなくCu多層配線を実現するために必要な, Cu選択およびブランケットの高速CVD技術,および高温での高速微細Cu RIE技術を中心に紹介する.さらにCu微細配線の抵抗,ビア抵抗および遅延時間を検討する.
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