PZT系強誘電体薄膜の化学気相成長
1992 年 61 巻 11 号 p. 1152-1155
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1992 年 61 巻 11 号 p. 1152-1155
64Mビット以降の次世代 LSIに対して, PZT系強誘電体薄膜をDRAM(記憶保持動作が必要な随時書き込み読み出しメモリー)キャパシターや不揮発性メモリーに応用しようとする試みが注目されている.有機金属を原料に使う化学気相成長法(MOGVD法)は,大きい析出速度,組成制御性,段差被覆性など, ICプロセスに適した成膜法として期待される.ここでは, MOCVD法による PZT系強誘電体薄膜の研究の現状と, LSIへの応用の可能性について紹介する.
