導電性・絶縁性材料と半導体とのヘテロエピタキシャル成長
1992 年 61 巻 2 号 p. 104-116
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1992 年 61 巻 2 号 p. 104-116
半導体基板上への導電性・絶縁性薄膜のエピタキシャル成長技術,およびこれらの薄膜上への半導体薄膜の成長技術の動向とデバイス応用について概観している.導電性薄膜としては, Si基板上のシリサイド膜,特にNiSi2膜とGoSi2膜を中心に,成長方法や界面の原子構造などについて述べている.また,絶縁性薄膜としては, Si, GaASなどの半導体基板上に成長させたCaF2, SrF2などのフッ化物薄膜を中心に,技術の現状を紹介している.最後に,これらの構造を用いた電子デバイスの特性,特に界面を原子的に制御することにより得られる新しい電子物性について述べ,将来動向をまとめている.
