GaAs MBE成長におけるGa液滴の挙動と成長制御

抄録

MBE法で成長中のGaAs表面上の過剰なGa原子の挙動は成長機構を理解するためにも,また応用上も非常に興味が持たれる.このような成長機構の研究にはその場観察が有効である.
ここでは,まず開発した電子顕微鏡一MBE複合装置と二次電子を用いたGaAs成長表面の成長その場観察法について述べる.次いで,観察により明らかとなったGa液滴の挙動について述べ,その形成機構を考察する.最後に,液滴を制御した新しい単原子層成長法を紹介する.