SIMOX (Separation by IMplanted OXYgen) は高濃度の酸素をSi基板にイオン注入し,埋め込みSiO2層を形成するものであり,将来のULS1用基板技術として注目されいる.
表面Si層の結晶性はイオン注入直後の結晶性とよく対応づけられ,注入条件の制御による結晶性向上が試みられている.それらに対し,筆者らはアニール時の内部酸化で生じる過剰格子間Siが貫通転位の形成に大きな役割を果たしていると考えた.酸素濃度を十分低下させる低温保持ステップと,反応速度を急増させない低い昇温速度で1300°Cまで昇温し,その後高温保持する3段階のアニールシークエンスを考案し,従来に比べ,転位密度を2桁減少させることができた.
