抄録
原子層エピタキシー (Atomic Layer Epitaxy: ALE) とは,原料の供給回数により,成長膜厚を1分子層単位で制御する成長方法である. 1974年にこの原子層エピタキシーの概念が提案され, 20年になろうとしている.特に,この手法がIII-V族化合物半導体に応用された達985年から10年,原子レベルで制御できる究極のエピタキシャル成長法として,活発な研究がなされてきた.一方,成長機構については,種々の高感度なその場測定法の開発とともに,まだ完全ではないが,そのべ一ルがはがされようとしている.また,本方法は単に超薄膜結晶を成長でぎるという方法の一つを越え,結晶成畏機構そのものの解明の有力な手段となりっpある.ここでは, III-V族化合物半導体に焦点をあて,原子層エピタキシーについて概説する.
