光ファイバー増幅器励起用高出力半導体レーザー
1995 年 64 巻 1 号 p. 2-12
詳細
1995 年 64 巻 1 号 p. 2-12
光ファイバー増幅器励起用の高出力半導体レーザーについて研究開発の現状をまとめる.Er3+ドープファイバー増幅器はすでに商用化段階にあり,lnGaAsP系の多重量子井戸 (MQW) あるいはひずみMQW構造を活1生層とする高出力・高信頼の1.48μm励起用半導体レーザーが実現さ:れている.低雑音特性が期待される0.98μm波長のlnGaAs/GaAs半導体レーザーについて結晶成長,素子構造の工夫により内部劣化が減少し100mW光出力動作では信頼性上問題のないレベルに到達している,lnGaAs組成を変化することでPr3+ドープファイバー励起用の高出力1.02μm波長InGaAs/GaAs半導体レーザーが試作されている.一方,さらに高い出力での高信頼素子の実現には光学的端面破壊(COD)劣化対策が重要課題となっている.
