東京工業大学工業材料研究所
1995 年 64 巻 11 号 p. 1124-1128
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高温超伝導関連の酸化物薄膜を原子レベルで制御してエピタキシャル成長する際の問題点と解決へのアプローチ法を整理した.レーザーMBE法を用いた分子層エピタキシーの研究を紹介し,最表面原子層の制御が極めて重要であることを説明する.NH4F-HF混合溶液を用いた湿式処理により平坦化した分子層ステップSrTiO3基板を用いると,極めて理想的な酸化物のエピタキシーが可能となった.
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