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応用物理
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53 巻 (1984)
12 号 p. 1019-
11 号 p. 915-
10 号 p. 825-
9 号 p. 751-
8 号 p. 663-
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2 号 p. 87-
1 号 p. 1-
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7 号 p. 431-
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4 号 p. 225-
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1 号 p. 1-
32 巻 (1963)
12 号 p. 877-
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5 号 p. 297-
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3 号 p. 149-
2 号 p. 77-
1 号 p. 1-
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7 号 p. 433-
6 号 p. 359-
5 号 p. 287-
4 号 p. 211-
3 号 p. 139-
2 号 p. 73-
1 号 p. 1-
28 巻 (1959)
12 号 p. 677-
11 号 p. 615-
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8 号 p. 439-
7 号 p. 371-
6 号 p. 315-
5 号 p. 253-
4 号 p. 181-
3 号 p. 123-
2 号 p. 65-
1 号 p. 1-
27 巻 (1958)
12 号 p. 709-
11 号 p. 643-
10 号 p. 577-
9 号 p. 505-
8 号 p. 443-
7 号 p. 381-
6 号 p. 319-
5 号 p. 247-
4 号 p. 181-
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1 号 p. 1-
26 巻 (1957)
12 号 p. 615-
11 号 p. 551-
10 号 p. 473-
9 号 p. 407-
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1 号 p. 1-
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2 号 p. 47-
1 号 p. 3-
24 巻 (1955)
12 号 p. 487-
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8 号 p. 305-
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6 号 p. 215-
5 号 p. 175-
4 号 p. 133-
3 号 p. 97-
2 号 p. 49-
1 号 p. 3-
23 巻 (1954)
12 号 p. 543-
11 号 p. 493-
10 号 p. 439-
9 号 p. 387-
8 号 p. 337-
7 号 p. 293-
6 号 p. 243-
5 号 p. 193-
4 号 p. 145-
3 号 p. 97-
2 号 p. 51-
1 号 p. 3-
22 巻 (1953)
11-12 号 p. 369-
10 号 p. 327-
9 号 p. 287-
7-8 号 p. 251-
6 号 p. 211-
5 号 p. 169-
4 号 p. 131-
3 号 p. 89-
2 号 p. 45-
1 号 p. 3-
21 巻 (1952 - 1953)
12 号 p. 418-
10-11 号 p. 383-
9 号 p. 339-
8 号 p. 291-
7 号 p. 243-
6 号 p. 195-
5 号 p. 147-
4 号 p. 103-
2-3 号 p. 43-
1 号 p. 1-
20 巻 (1951 - 1952)
8-9 号 p. 263-
6-7 号 p. 207-
5 号 p. 163-
4 号 p. 123-
3 号 p. 83-
2 号 p. 41-
1 号 p. 1-
19 巻 (1950 - 1951)
9-12 号 p. 243-
7-8 号 p. 211-
6 号 p. 179-
5 号 p. 143-
4 号 p. 107-
3 号 p. 65-
2 号 p. 33-
1 号 p. 1-
18 巻 (1949 - 1950)
10-12 号 p. 293-
8-9 号 p. 229-
6-7 号 p. 163-
4-5 号 p. 97-
2-3 号 p. 49-
1 号 p. 1-
17 巻 (1948)
11-12 号 p. 337-
10 号 p. 289-
8-9 号 p. 241-
7 号 p. 193-
6 号 p. 145-
5 号 p. 97-
3-4 号 p. 49-
1-2 号 p. 209-
16 巻 (1947)
10 号 p. 161-
9 号 p. 129-
6-8 号 p. 97-
3-5 号 p. 65-
2 号 p. 33-
1 号 p. 1-
15 巻 (1946)
7 号 p. 1-
6 号 p. 1-
5 号 p. 1-
3-4 号 p. 2-
1-2 号 p. 2-
14 巻 (1945)
2 号 p. 2-
1 号 p. 3-
13 巻 (1944)
11 号 p. 332-
10 号 p. 307-
9 号 p. 283-
8 号 p. 253-
7 号 p. 225-
6 号 p. 193-
5 号 p. 161-
4 号 p. 129-
3 号 p. 97-
2 号 p. 51-
1 号 p. 1-
12 巻 (1943)
12 号 p. 553-
11 号 p. 503-
10 号 p. 453-
9 号 p. 403-
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7 号 p. 303-
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5 号 p. 203-
4 号 p. 153-
3 号 p. 103-
2 号 p. 51-
1 号 p. 1-
11 巻 (1942)
12 号 p. 557-
11 号 p. 507-
10 号 p. 457-
9 号 p. 403-
8 号 p. 353-
7 号 p. 304-
6 号 p. 255-
5 号 p. 205-
4 号 p. 155-
3 号 p. 105-
2 号 p. 53-
1 号 p. 1-
10 巻 (1941)
12 号 p. 550-
11 号 p. 499-
10 号 p. 449-
9 号 p. 399-
8 号 p. 349-
7 号 p. 299-
6 号 p. 249-
5 号 p. 199-
4 号 p. 149-
3 号 p. 101-
2 号 p. 51-
1 号 p. 1-
9 巻 (1940)
12 号 p. 549-
11 号 p. 502-
10 号 p. 451-
9 号 p. 401-
8 号 p. 351-
7 号 p. 301-
6 号 p. 251-
5 号 p. 201-
4 号 p. 151-
3 号 p. 101-
2 号 p. 51-
1 号 p. 1-
8 巻 (1939)
12 号 p. 547-
11 号 p. 497-
10 号 p. 447-
9 号 p. 397-
8 号 p. 347-
7 号 p. 297-
6 号 p. 247-
5 号 p. 199-
4 号 p. 149-
3 号 p. 99-
2 号 p. 51-
1 号 p. 1-
7 巻 (1938)
12 号 p. 549-
11 号 p. 499-
10 号 p. 451-
9 号 p. 402-
8 号 p. 351-
7 号 p. 301-
6 号 p. 251-
5 号 p. 201-
4 号 p. 151-
3 号 p. 101-
2 号 p. 51-
1 号 p. 1-
6 巻 (1937)
12 号 p. 551-
11 号 p. 501-
10 号 p. 451-
9 号 p. 401-
8 号 p. 351-
7 号 p. 301-
6 号 p. 251-
5 号 p. 201-
4 号 p. 151-
3 号 p. 101-
2 号 p. 51-
1 号 p. 1-
5 巻 (1936)
12 号 p. 559-
11 号 p. 509-
10 号 p. 459-
9 号 p. 409-
8 号 p. 359-
7 号 p. 309-
6 号 p. 259-
5 号 p. 209-
4 号 p. 157-
3 号 p. 105-
2 号 p. 54-
1 号 p. 1-
4 巻 (1935)
12 号 p. 487-
11 号 p. 437-
10 号 p. 387-
9 号 p. 333-
8 号 p. 293-
7 号 p. 251-
6 号 p. 211-
5 号 p. 169-
4 号 p. 129-
3 号 p. 77-
2 号 p. 39-
1 号 p. 1-
3 巻 (1934)
12 号 p. 445-
11 号 p. 403-
10 号 p. 365-
9 号 p. 323-
8 号 p. 283-
7 号 p. 243-
6 号 p. 201-
5 号 p. 161-
4 号 p. 121-
3 号 p. 81-
2 号 p. 41-
1 号 p. 1-
2 巻 (1933)
12 号 p. 445-
11 号 p. 409-
10 号 p. 369-
9 号 p. 331-
8 号 p. 293-
7 号 p. 249-
6 号 p. 211-
5 号 p. 169-
4 号 p. 125-
3 号 p. 87-
2 号 p. 48-
1 号 p. 1-
1 巻 (1932)
6 号 p. 221-
5 号 p. 178-
4 号 p. 131-
3 号 p. 1-
2 号 p. 1-
1 号 p. 1-
64 巻, 11 号
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国際交流
浜口 智尋
1995 年 64 巻 11 号 p. 1073
発行日: 1995/11/10
公開日: 2009/02/05
DOI
https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.64.1073
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シリコンデバイスの微細化と性能限界
岩井 洋, 百瀬 寿代
1995 年 64 巻 11 号 p. 1074-1084
発行日: 1995/11/10
公開日: 2009/02/05
DOI
https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.64.1074
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シリコンデバイス,特にその中でもMOSLSIは20年以上に渡り驚異的な発展を遂げてきており,今や世の中に不可欠な存在となっている.この発展を支えてきたのがMOSトランジスタなどの素子の微細化である.本論文では素子の微細化及び性能限界について最近の研究結果を含めて説明を行い,併せてこのような素子を用いたLSIの将来像に関しての議論を行う.
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SiO
2
/Si界面形成の原子スケール制御
服部 健雄
1995 年 64 巻 11 号 p. 1085-1090
発行日: 1995/11/10
公開日: 2009/02/05
DOI
https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.64.1085
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半導体集積回路の微細化・高性能化が進み,酸化膜の形成を原子スケールで制御し構造欠陥の極めて少ないSiO
2
/Si界面を形成することが必要となってきた.しかし,原子スケールで平坦なシリコン面を酸化して,果たして原子スケールで平坦な界面を構造欠陥を導入することなく形成できるか否かという基本的な問いに対する答はいまだ得られていない.本稿では,この問いに応えるべくこれまで展開されてきた原子スケールで平坦かつ水素で終端されたシリコンの酸化の初期過程に関する研究の現状について述べることとする.
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(3813K)
シリコン結晶中のリン拡散におけるリンー空孔対拡散モデル
吉田 正幸
1995 年 64 巻 11 号 p. 1091-1096
発行日: 1995/11/10
公開日: 2009/02/05
DOI
https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.64.1091
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シリコン結晶中のリンと空孔との間には大きな結合エネルギーがあるので,リンが空孔機構で拡散する場合,リンと空孔が対となって拡散する(対拡散モデル).この対が解離すると過剰空孔が発生する.結合エネルギーが大きいので,リンと空孔とが離れていても,それらの間には大きな相互作用がある.そのためリン濃度の増加につれて擬空孔形成エネルギーおよび結合エネルギーが減少する.これらによりシリコン結晶中のリンの異常拡散は説明できる.対拡散モデルは集積回路製作における不純物拡散工程のシミュレーションに重要な役割をはたしている.
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(4968K)
高温超伝導薄膜のエピタキシャル方位制御
宮澤 信太郎, 向田 昌志
1995 年 64 巻 11 号 p. 1097-1103
発行日: 1995/11/10
公開日: 2009/02/05
DOI
https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.64.1097
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高温超伝導体YBCOのエピタキシャル成長について,結晶成長機構の面からその複雑さを概説し,特に優先成長軸方位の制御について成長因子である酸素分圧と成長温度の重要性について述べた.そして,積層型SISトンネル接合形成に優位なa軸配向膜成長の新たな成長機構としてAtomic Gra-phoepitaxyを提唱,基板結晶材料が鍵であることを簡単に紹介した.
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(6956K)
SOIデバイスの研究開発動向
井上 靖朗, 山口 泰男
1995 年 64 巻 11 号 p. 1104-1110
発行日: 1995/11/10
公開日: 2009/02/05
DOI
https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.64.1104
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マルチメディア時代に向けた低消費電力デバイスの基板材料として有望視されているSOI基板およびその上に形成されたSOIデバイスの基礎と最近の開発動向および今後の課題についてまとめた.
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(7458K)
X線リソグラフィ技術の現状と将来展望
山下 吉雄
1995 年 64 巻 11 号 p. 1111-1114
発行日: 1995/11/10
公開日: 2009/02/05
DOI
https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.64.1111
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LSIの高集積化のトレンドを維持していくには,微細加工技術,とりわけ,先端リソグラフィ技術の開発が極めて重要となってきた.X線リソグラフィはsub-0.1μmまでの解像度を有するため, 1Gbit~64GbitDRAMのリソグラフィ技術として有力な候補である.本稿では,X線リソグラフィの実用化へ向けての最近の進展を紹介するとともに,残された課題について議論する.また,他の競合リソグラフィと比較しながら,X線リソグラフィの将来展望を述べる.
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(4312K)
プラズマエッチングによる超LSIデバイスへのダメージとその抑制
野尻 一男, 水谷 巽
1995 年 64 巻 11 号 p. 1115-1119
発行日: 1995/11/10
公開日: 2009/02/05
DOI
https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.64.1115
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プラズマエツチングは超LSIの微細加工に不可欠の技術であるが,高エネルギー粒子や荷電粒子の大量入射に伴う種々のデバイスダメージの問題が素子の微細化とともに深刻になりつつある.本稿では,電荷保持特性の劣化やコンタクト抵抗の増大を招くSi表面層ダメージとゲート酸化膜劣化をもたらすチャージアップダメージに焦点を絞って,その現象を整理し,成因,低減策についての最新の研究状況を概説する.
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(3641K)
半導体のイオン照射誘起欠陥とその動的振舞い
プロセス応用への展望
鶴島 稔夫
1995 年 64 巻 11 号 p. 1120-1123
発行日: 1995/11/10
公開日: 2009/02/05
DOI
https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.64.1120
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イオン照射により半導体中に非平衡的に導入される点欠陥が,その緩和過程で誘起する原子の再配列効果に着目して,最近の報告と実験結果を紹介する.被加工材料の内部に導入された欠陥がもたらす効果を,結晶成長やデバイス加工の新しいプロセス手段として利用する可能性を展望する.
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(3664K)
レーザー分子線エピタキシー法による酸化物薄膜の分子層制御
川崎 雅司, 高橋 和浩, 鯉沼 秀臣
1995 年 64 巻 11 号 p. 1124-1128
発行日: 1995/11/10
公開日: 2009/02/05
DOI
https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.64.1124
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高温超伝導関連の酸化物薄膜を原子レベルで制御してエピタキシャル成長する際の問題点と解決へのアプローチ法を整理した.レーザーMBE法を用いた分子層エピタキシーの研究を紹介し,最表面原子層の制御が極めて重要であることを説明する.NH
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F-HF混合溶液を用いた湿式処理により平坦化した分子層ステップSrTiO
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基板を用いると,極めて理想的な酸化物のエピタキシーが可能となった.
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(4464K)
超高真空気相成長法によるシリコン低温結晶成長における水素の効果
辰巳 徹, 酒井 朗, 宮永 恵子
1995 年 64 巻 11 号 p. 1129-1132
発行日: 1995/11/10
公開日: 2009/02/05
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https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.64.1129
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ガスソースを用いたシリコン低温結晶成長技術のデバイス応用が進んでいる.この技術では,成長表面よに八イドライド系ガスの分解によって生じた水素が多量に存在し,成長速度,ファセット形,表面モホロジーに大きな影響を及ぼす.本稿では,特にコールドウオールを用いた成長における,表面水素の成長に及ぼす影響とそのメ力ニズム,及びデバイス応用について述べる.
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(1586K)
シリコン中の鉄原子の再結合促進移動を利用した構造的に準安定な鉄-ボロン・ペアの生成
中島 寛
1995 年 64 巻 11 号 p. 1133-1136
発行日: 1995/11/10
公開日: 2009/02/05
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https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.64.1133
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Bを含む
p
形Si中にFeを拡散すると,正にイオン化した格子間Fe原子が負にイオン化した格子位置のB原子に捕獲されて,安定な第1近接位置のFe-Bペアが形成される.このペアは,低温で少数キャリアを注入すると, Fe原子が再結合エネルギーを得て第1近接位置から移動し,熱平衡状態では実現できないペア配置が作り出せる.これらの準安定な位置のFe原子のエネルギー状態およびその移動の様子を過渡接合容量法で調べた結果について紹介する.
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(510K)
高温超伝導厚膜の液相エピタキシャル成長
北村 祐, 平林 泉
1995 年 64 巻 11 号 p. 1137-1141
発行日: 1995/11/10
公開日: 2009/02/05
DOI
https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.64.1137
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液相エピタキシャル(liquld phase epitaxy:LPE)法により臨界電流の高いYBa
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CU
3
O
7-y
超伝導厚膜の作製技術を確立し,膜の結晶性に及ぼす基板の影響について調べた.その結果,基板と超伝導膜の格子不整合が原因となり,膜中に導入された積層欠陥が,液体窒素温度におけるピンニングセンターとして有効に働くことが判明した.
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(2718K)
研究者のためのインターネット入門 (2)
北野 正雄
1995 年 64 巻 11 号 p. 1142-1145
発行日: 1995/11/10
公開日: 2009/02/05
DOI
https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.64.1142
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最近,インタ-ネットへの関心が爆発的に高まっている.本講義では,電子メールやWorld Wide Webを中心とした,研究者のためのインターネット利用法について解説する.
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(2449K)
リソグラフィ技術
岡崎 信次
1995 年 64 巻 11 号 p. 1146-1147
発行日: 1995/11/10
公開日: 2009/02/05
DOI
https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.64.1146
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(188K)
プラズマエッチング技術
堀岡 啓治, 林 久貴, 栗原 一彰, 関根 誠
1995 年 64 巻 11 号 p. 1148-1149
発行日: 1995/11/10
公開日: 2009/02/05
DOI
https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.64.1148
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(1093K)
ULSI配線のための金属薄膜形成技術
吉川 公麿
1995 年 64 巻 11 号 p. 1150-1151
発行日: 1995/11/10
公開日: 2009/02/05
DOI
https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.64.1150
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