シリコン基板上HEMT素子

応用物理

Online ISSN : 2188-2290
Print ISSN : 0369-8009

シリコン基板上HEMT素子

大堀達也

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ジャーナルフリー

1995 年 64 巻 2 号 p. 119-125

DOI https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.64.119

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抄録

Si基板上にHEMTを作製するHEMT on Si技術の現状について解説する.欠陥が素子特性に与える影響,ラフネスの改善,反りの低減方法について述べる.現状技術では小規模集積回路であれば, GaAs基板上の素子と同等の特性および歩留りを得ることができることを示す.

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© 社団法人応用物理学会

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