InGaP/GaAsヘテロ構造の電子素子への応用
1996 年 65 巻 2 号 p. 132-137
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1996 年 65 巻 2 号 p. 132-137
InGaP/GaAsヘテロ構造を用いたHEMTやHBTなどの電子デバイスは,材料やヘテロ接合の特徴をいかして, AIGaAs/GaAs系ヘテロ接合デバイスに比べ,高性能化および高信頼化特性を示すことで最近注目されている.本解説では, InGaP/GaAsヘテロ接合の特徴,結晶成長, HEMTやHBTのデバイス特性の現状と最近のトピックスを述べる.
