シリコン表面酸化の様子をシミュレーションする
1997 年 66 巻 11 号 p. 1199-1203
詳細
1997 年 66 巻 11 号 p. 1199-1203
シリコンとその熱酸化によって得られる酸化シリコン絶縁膜は,今日の半導体産業の繁栄を支える重要な材料である.デバイスの微細化に伴い,シリコン・酸化シリコン界面構造や,酸化機構の原子・分子レベルからの解明と制御が要求されるようになってきつつある.第一原理計算に関する高速アルゴリズムの開発と計算機の急激な進歩によって,計算機シミュレーションはこのような問題を明らかにする上での有効なツールと考えられるようになった.
