SrBi2Ta2O9(SBT) 薄膜による低電圧不揮発性メモリーの現状と将来展望
1998 年 67 巻 11 号 p. 1256-1262
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1998 年 67 巻 11 号 p. 1256-1262
強誘電体を用いた不揮発性メモリーはSrBi2Ta2O9系ビスマス層状ぺロブスカイトなどの強誘電体材料技術,強誘電体/半導体集積化技術の飛躍的な進歩により,低電圧かつ高速動作の特長を武器に従来の不揮発性メモリーの置き換えを開始した. ICカード応用を第一のステップとして今まさに本格的な量産化の時代を迎えようとしている.
ここでは,特にSrBi2Ta2O9系の強誘電体薄膜を用いた強誘電体不揮発性メモリーの技術の現状と課題,および今後の展望と応用について解説する.
