II-VI族半導体量子ドット
1998 年 67 巻 7 号 p. 802-806
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1998 年 67 巻 7 号 p. 802-806
ワイドギヤップII-VI族半導体材料のナノ量子ドット系の開発により,新しい光物性・機能が創製され,短波長光エレクトロニクスの基盤技術の確立に寄与すると期待される.本文では, CdSeドットの自己形成プロセスの解明やそのプロセスの制御に関する最近の研究を中心に述べるとともに,ドットサイズの経時変化やドットの原子間力顕微鏡による観察などの問題点についても議論する.
