メタル/Low K-CMP後洗浄技術
1999 年 68 巻 11 号 p. 1267-1270
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1999 年 68 巻 11 号 p. 1267-1270
Cu配線搭載の高速ロジックデバイスに向け,先駆けて開発したCu/Low-K (HSQ) のCMP後洗浄技術を紹介する. CMP後には,表面に残留する粒子や金属汚染を除去する必要があるが,従来からシリコンプロセスで使用されている洗浄薬液では, Cu配線や低誘電率膜 (HSQ) がエッチングされたり劣化する.さらに,洗浄薬液の使用にあたっては環境負荷も考慮に入れる必要性が高まっている.そこで, Cu/HSQ-GMP後の洗浄液として,環境負荷の低い純水電解力ソード水とシュウ酸水溶液を開発し, Cu膜, HSQ膜に損傷を与えることなく残留する粒子汚染,金属汚染を効果的に除去することを可能にした.
