シリカ系ガラス薄膜の光非線形性と結晶化制御

抄録

Ge添加シリカ(SiO₂)ガラスに、紫外光ポーリング処理により大きな2次非線形性が発現することが報告されており、結晶生成と欠陥形成が非線形性発現の起因であることが示されている。本報告では、熱処理による結晶化の挙動を調査·検討した。また、今回新たな試みとして熱処理と紫外光照射を同時に行う実験を行い、熱処理中での紫外光照射が試料の結晶化挙動に与える影響、およびその内部欠陥量への影響等に関して検討した。薄膜試料内部のGeO₂濃度の増加により回折ピークの低角度側へのシフト(面間隔の変化)が観察された。この回折ピークがクリストバライトに類似していることから、析出結晶相がクリストバライトにGeが固溶した結晶相であると考えられる。